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功率MOSFET   8-SO

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制造商编号 IRF7329TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 D-IRF7329TRPBF
供货 海外代购D
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
IRF7329TRPBF Series 12 V 9.2 A 17 mOhm SMT Hexfet Power Mosfet - SOIC-8
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@9.2A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 2W
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 12V
连续漏极电流Id 9.2A
封装/外壳 8-SO
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7329TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

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