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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 集成电路(芯片) | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| FET类型 | 同步 | |
| 驱动器数 | 4 | |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET | |
| 电压-电源 | 9.5 V ~ 15 V | |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 1V,2.5V | |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 2.6A,2.4A | |
| 输入类型 | 非反相 | |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 95V | |
| 上升/下降时间（典型值） | 10ns,10ns | |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| 封装/外壳 | 20-SOIC |
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提供更安全、更可靠、更灵活的住宅 BESS 电源和信号堆叠连接连接
新能源应用中的控制而设计，可在1000VDC下实现高切换能力
低ESR和高Q特性、稳定性和可靠性，符合AEC-Q200标准
高精度电阻器，具备极低的温度系数(TCR)和精度可达±0.1%的性能，满足严格的应用标准
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LM317LDG | 520 |
| FSTD16211MTDX | 518 |
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