| 制造商编号 | VSMY2850RG |
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| 制 造 商 | Vishay(威世) |
| 唯样编号 | D-VSMY2850RG |
| 供货 | 海外代购D |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
850 nm 100 mA ±10° Surface Mount High Speed Infrared Emitting Diode T&R
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 红外发射管 | |
| FET类型 | 红外(IR) | |
| 电流-DC正向（If） | 100mA | |
| 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值） | 50mW/sr @ 100mA | |
| 波长 | 850nm | |
| 电压-正向（Vf）（典型值） | 1.65V | |
| 视角 | 20° | |
| 朝向 | 顶视图 | |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | |
| 封装/外壳 | 2-SMD,鸥翼型 | |
| 辐射强度 | 100mW/sr | |
| 射束角 | 10deg | |
| 功率 | 0.19W | |
| If - 正向电流 | 100mA | |
| Vf - 正向电压 | 1.65V | |
| 系列 | VSMY2850xG | |
| 照明颜色 | InFrared | |
| 透镜形状 | Dome | |
| 显示角 | 20deg | |
| 下降时间 | 10ns | |
| 上升时间 | 10ns |
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专门设计用于中等功率转换和相位控制应用
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
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