| 制造商编号 | ZXMP6A16DN8TA |
|---|---|
| 制 造 商 | DiodesZetex |
| 唯样编号 | E-ZXMP6A16DN8TA |
| 供货 | 欧时电子 |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP6A16DN8TA, 3.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
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暂无数据
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 3.9 A | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 125 m0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 封装/外壳 | SOIC | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 2.15 W | |
| 典型接通延迟时间 | 3.5 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 漏源极电压Vds | 1021 pF @ -30 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.50mm | |
| 封装/外壳 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
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新能源应用中的控制而设计，可在1000VDC下实现高切换能力
低ESR和高Q特性、稳定性和可靠性，符合AEC-Q200标准
高精度电阻器，具备极低的温度系数(TCR)和精度可达±0.1%的性能，满足严格的应用标准
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择，响应时间低至t0.9≤2秒
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| C3225X5R0J107M | 573 |
| 2SC4541(TE12L,ZC) | 522 |
| B39781B1303L210 | 520 |
| MC406-32.768KHZ | 501 |
| 809-155 | 413 |
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