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功率MOSFET   SOT-23-6

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制造商编号 RQ6C050UNTR
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RQ6C050UNTR
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5A(Ta) 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta)
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 5A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@5A,4.5V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-6
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库存 :  75

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥5.3637
100+ ¥3.1002
1,500+ ¥1.9656

整包(请按3000的倍数下单)

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¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

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最小包:3,000 
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6C050UNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6

¥5.3637 

阶梯数 价格
1: ¥5.3637
100: ¥3.1002
1,500: ¥1.9656
3,000: ¥1.4211
75 当前型号
DMN2028UVT-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TSOT-23-6

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