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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-252 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 200V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | 6A | |
Pd-功率耗散(Max) | 42.5W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 400mΩ@3A,10V | |
VGS(th) | 3.7 | |
Ciss(pF) | 328 | |
Coss(pF) | 20.5 | |
Crss(pF) | 8 | |
Qg*(nC) | 44 | |
Qgd(nC) | 30 | |
Td(on)(ns) | 6 | |
Td(off)(ns) | 18 | |
Trr(ns) | 35 | |
Qrr(nC) | 150 | |
工作温度 | -55℃~175℃ |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
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最小包:2,500
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交期: 请咨询客服 |
起订量:510 | 倍数:1 |
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS(on),低栅极电压和高电流能力,非常适合应用在DC/DC电路中
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LMP22D5N3T5G | 200,000 |
PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
IPB200N25N3 G | 33,000 |
PMPB215ENEAX | 18,000 |
PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AOD4504 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥2.3488
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0 | 当前型号 | |||||||||||
PHD9NQ20T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PHD9NQ20T_SOT428 |
¥11.2213
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0 | 对比 | |||||||||||
IRFR9N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.73mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
IRFR9N20D | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK(TO-252) |
暂无价格 | 0 | 对比 |