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通用MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

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制造商编号 IXTA3N150HV
制 造 商 IXYS
唯样编号 B-IXTA3N150HV
供货 富昌电子
无铅情况/RoHs
描述
连续漏极电流Id:3A(Tc) 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.3 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 3A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1375pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.3 Ohms@1.5A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 1500V
连续漏极电流Id 3A
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