制造商编号 | IRF7530TRPBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | B-IRF7530TRPBF-1 |
供货 | 富昌电子 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Dual N-Channel 20 V 1.3 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-8
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1310pF @ 15V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
系列 | HEXFET® | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@5.4A,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC @ 4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1310pF @ 15V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.3W | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 20V | |
连续漏极电流Id | 5.4A | |
封装/外壳 | Micro8™ |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
起订量:4,000 | 倍数:4,000 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LMP22D5N3T5G | 200,000 |
PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
IPB200N25N3 G | 33,000 |
PMPB215ENEAX | 18,000 |
PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRF7530TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro8™ |
¥3.0225
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16,000 | 当前型号 | |||||||||
IRF7607TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro8™ |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IRF7601TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro8™ |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
ZXMD63N02XTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
MSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IRF7530 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
Micro8(MO-187) |
暂无价格 | 0 | 对比 |