制造商编号 | IRF7313TRPBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | B-IRF7313TRPBF-1 |
供货 | 富昌电子 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Single HexFet 30 V 2 W 33 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 650pF @ 25V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
系列 | HEXFET® | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 29mΩ@5.8A,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 650pF @ 25V | |
Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 6.5A | |
封装/外壳 | 8-SO |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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整包(请按4000的倍数下单) |
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4,000+ | ¥2.6368 |
8,000+ | ¥2.587 |
12,000+ | ¥2.587 |
16,000+ | ¥2.5373 |
20,000+ | ¥2.4875 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
起订量:4,000 | 倍数:4,000 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LMP22D5N3T5G | 200,000 |
IRF4905PBF | 88,000 |
PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
SLF4N65SV | 15,000 |
PMPB215ENEAX | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRF7313TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
¥2.6368
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0 | 当前型号 | |||||||||||||
AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
¥3.2745
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0 | 对比 | |||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
SP8K2TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |