| 制造商编号 | IRF3205PBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | B-IRF3205PBF-3 |
| 供货 | 富昌电子 |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC 200 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 146nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3247pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ@62A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 110A | |
| 漏源极电压Vds | 55V | |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 起订量：50 | 倍数：50 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRF3205PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB |
￥4.3245
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 550 | 对比 | ||||||||||||
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STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IPP45N06S409AKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IPP084N06L3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPP084N06L3GXKSA1_10mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
PHP191NQ06LT,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PHP191NQ06LT_SOT78 |
￥17.5857
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0 | 对比 |
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