制造商编号 | IPD90N04S304ATMA1 |
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商品别名 | IPD90N04S3-04 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | B-IPD90N04S304ATMA1 |
供货 | 富昌电子 |
无铅情况/RoHs | 否 |
描述 |
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
|
参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 90A(Tc) | |
FET类型 | N 通道 | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 3.6 毫欧 @ 80A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 90uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 5200pF @ 25V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 80nC @ 10V | |
功率耗散(最大值) | 136W(Tc) | |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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整包(请按2500的倍数下单) |
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2,500+ | ¥11.6415 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
起订量:2,500 | 倍数:2,500 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LMP22D5N3T5G | 200,000 |
PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
IPB200N25N3 G | 33,000 |
PMPB215ENEAX | 18,000 |
PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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IPD90N04S304ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD90N04S3-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
¥11.6415
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0 | 当前型号 | |||||
DMTH4004LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-5,Dpak,TO-252AD |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
RD3G600GNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |