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功率MOSFET   D-Pak

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制造商编号 IRFR220NPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 B-IRFR220NPBF
供货 富昌电子
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single N-Channel 200 V 6.8 mOhm 23 nC 43 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
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商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 43W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@2.9A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 200V
连续漏极电流Id 5A
封装/外壳 D-Pak
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