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IRF540NLPBF  与  IPI47N10SL-26  区别

型号 IRF540NLPBF IPI47N10SL-26
唯样编号 A-IRF540NLPBF A-IPI47N10SL-26
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 130 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@16A,10V 26mΩ
上升时间 - 100ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-262 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 33A 47A
配置 - Single
长度 - 10.2mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 70ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
高度 - 9.45mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) 175W
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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