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IRL6372TRPBF  与  AO4854  区别

型号 IRL6372TRPBF AO4854
唯样编号 A-IRL6372TRPBF A-AO4854
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.9mΩ@8.1A,4.5V 19mΩ@10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 23mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 8.1A 8A
Ciss(pF) - 740
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 8
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 18
VGS(th) - 2.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.574 

阶梯数 价格
20: ¥2.574
100: ¥2.046
750: ¥1.837
1,500: ¥1.727
3,000: ¥1.65
3,194 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8712
1,500: ¥0.7579
2,520 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.397
1,250: ¥1.21
2,080 对比
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.2 

阶梯数 价格
30: ¥2.2
100: ¥1.705
1,079 对比
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥3.2745 

阶梯数 价格
490: ¥3.2745
1,000: ¥2.5767
1,500: ¥2.0151
3,000: ¥1.5718
0 对比

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