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ROHM N沟道SiC功率MOSFET

制造商:ROHM 发布日期:2018-10-10

ROHM N沟道SiC功率MOSFET在开关时不会产生尾电流,因此动作较快并能减少开关损耗。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保电容和栅极电荷较低。与导通电阻在温度变化时可以提高2倍以上的标准硅器件相比,SiC MOSFET导通电阻的变化较小,并且封装尺寸更小,更节能。该MOSFET通常用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热及电机驱动器。


特性

·低导通电阻

·开关速度快

·快速反向恢复

·易于并行工作

·易于驱动

·无铅引脚电镀,并符合RoHS标准


应用

·太阳能逆变器

·DC/DC转换器

·辅助电源

·开关电源

·感应加热

·电机驱动器


MOS管在电路中的应用:pwm驱动mos管电路图

当光耦有pwm驱动mos管开关电路PWM信号输入时,光耦发光二极管导通,触发光电晶体管也导通。电源经电阻R1,光电晶体管的CE极,电阻R3分压使NMOS IRF540N的栅极为高电平,触发MOS管导通。

upfile

ROHM N沟道SiC功率MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
SCT3160KL Series 1200 V 17 A 208 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
11214
SCT2080KEC Series N-Channel 1200 V 117 mOhm 106 nC SIC Power Mosfet - TO-247
0

制造商:
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ROHM N沟道SiC功率MOSFET

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