采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET G2 1400V功率器件，是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。
第五代650-700V GaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。
ANPC拓扑即有源中点钳位技术，是基于NPC型三电平拓扑改进而来，最早提出是用来克服NPC三电平拓扑损耗分布不均匀和中点电位问题。
英飞凌为Thistle Technologies提供OPTIGA™ Trust M安全解决方案。
PSOC™ Control C3凭借高主频与高性能特性，可轻松控制40kHz交错式PFC的开关频率，降低电感值与体积，优化BOM成本。
为了改善这类器件的局限性，同时帮助客户能够更好地应对更为复杂的天线端口的匹配与调谐需求，英飞凌在开关式天线调谐器之外，继续开发了可调电容式天线调谐器（Capacitor-Tuner, 或C-Tuner）。
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