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过滤结果 : 17,105

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封装/外壳

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栅极电压Vgs

漏源极电压Vds

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Rds On(Max)@Id,Vgs

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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
JJW(捷捷微)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23 P-Channel -55°C~150°C ±20V -30V -4.1A 55mΩ@-4A,-10V 1.51W

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -4.1A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 55mΩ@-4A,-10V

Pd-功率耗散(Max) : 1.51W

3,000+:¥0.1690
402,000+:¥0.1200

库存: 202,935

MPQ:3,000

交期:3天-5天

GP(格瑞宝)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23-6 P-Channel -55℃~150℃ ±12V -20V -3A 150mΩ@-1.6A,-1.8V 0.96W

封装/外壳 : SOT-23-6

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : -20V

连续漏极电流Id : -3A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 150mΩ@-1.6A,-1.8V

Pd-功率耗散(Max) : 0.96W

库存: 200,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

JJW(捷捷微)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23 N-Channel ±12V 30V 5.8A 26mΩ@10V

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 5.8A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 26mΩ@10V

3,000+:¥0.1259

库存: 200,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

JJW(捷捷微)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23 P-Channel ±12V -30V -4.2A 96mΩ@2.5V

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : P-Channel

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -4.2A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 96mΩ@2.5V

3,000+:¥0.1200

库存: 200,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

GP(格瑞宝)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

DFN2*2-6 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 30V 10A 16mΩ@5A,4.5V 1.25W

封装/外壳 : DFN2*2-6

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 10A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 16mΩ@5A,4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 1.25W

库存: 150,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

别名:

PMLL4448

Nexperia(安世)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS

封装/外壳 : SOD80

找替代
1+:¥0.2258
100+:¥0.1711
1,000+:¥0.1336
1,250+:¥0.1095
2,500+:¥0.0952

库存: 123,500

MPQ:2,500

交期:3天-5天

LRC(乐山无线电)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-883 N-Channel -55°C~150℃ ±6V 20V 500mA 250mW 850mΩ@500mA,2.5V

封装/外壳 : SOT-883

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150℃

栅极电压Vgs : ±6V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 500mA

Pd-功率耗散(Max) : 250mW

Rds On(Max)@Id,Vgs : 850mΩ@500mA,2.5V

1+:¥0.2479
100+:¥0.1878
1,000+:¥0.1423
5,000+:¥0.1166
10,000+:¥0.1014

库存: 57,850

MPQ:10,000

交期:3天-5天

LRC(乐山无线电)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-883 N-Channel(ESD) -55℃~150℃ ±12V 30V 0.93A 460mΩ@200mA,4.5V 715mW

封装/外壳 : SOT-883

FET类型 : N-Channel(ESD)

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 0.93A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 460mΩ@200mA,4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 715mW

1+:¥0.2232
100+:¥0.1691
1,000+:¥0.1281
5,000+:¥0.1050
10,000+:¥0.0913

库存: 50,599

MPQ:10,000

交期:3天-5天

GP(格瑞宝)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

PDFN5x6-8L N+P-Channel -55℃~150℃ ±20V,±20V 30V,-30V 45A,-24A 12mΩ@7A,10V 25W,20.8W

封装/外壳 : PDFN5x6-8L

FET类型 : N+P-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V,±20V

漏源极电压Vds : 30V,-30V

连续漏极电流Id : 45A,-24A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 12mΩ@7A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 25W,20.8W

库存: 50,200

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

自营

通用MOSFET

SOT-23 P-Channel -55°C~150°C ±12V -20V -4.9A 1.38W 62mΩ@-2A,-1.8V

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : -20V

连续漏极电流Id : -4.9A

Pd-功率耗散(Max) : 1.38W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 62mΩ@-2A,-1.8V

库存: 31,540

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

JJW(捷捷微)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

TO-252-4R N-Channel ±20V 60V 15A 49mΩ@10V

封装/外壳 : TO-252-4R

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 15A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 49mΩ@10V

2,500+:¥0.4810

库存: 30,631

MPQ:2,500

交期:3天-5天

Vishay(威世)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

PowerPAK® 1212-8W P-Channel -55℃~175℃ ±20V -40V -16A 27.3mΩ@-8A,-10V 53.6W 车规

封装/外壳 : PowerPAK® 1212-8W

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55℃~175℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : -40V

连续漏极电流Id : -16A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 27.3mΩ@-8A,-10V

Pd-功率耗散(Max) : 53.6W

产品特性 : 车规

3,000+:¥2.3800

库存: 30,045

MPQ:3,000

交期:3天-5天

Panjit(强茂)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

TO-252AA P-Channel -55°C~150°C ±20V 40V 16A 45mΩ@10A,10V 22W 车规

封装/外壳 : TO-252AA

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 16A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 45mΩ@10A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 22W

产品特性 : 车规

找替代

库存: 30,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

GP(格瑞宝)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

PDFN5×6-8L N-Channel -55℃~150℃ ±20V 30V 80A 6.5mΩ@10A,4.5V 2.5W

封装/外壳 : PDFN5×6-8L

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 80A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 6.5mΩ@10A,4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 2.5W

5,000+:¥0.5125

库存: 30,000

MPQ:5,000

交期:3天-5天

Panjit(强茂)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

TO-252AA N-Channel -55℃~175℃ ±20V 40V 80A 5.9mΩ@20A,10V 68W 车规

封装/外壳 : TO-252AA

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~175℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 80A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 5.9mΩ@20A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 68W

产品特性 : 车规

库存: 30,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

Panjit(强茂)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23 N-Channel -55℃~150℃ ±8V 20V 2A 400mΩ@0.5A,1.8V 1.25W

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±8V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 2A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 400mΩ@0.5A,1.8V

Pd-功率耗散(Max) : 1.25W

找替代

库存: 30,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

Panjit(强茂)
授权代理品牌

自营

封装/外壳 : SOT-363

库存: 30,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用MOSFET

TO-263 N-Channel -55°C~150℃ ±20V 100V 172A 227W

封装/外壳 : TO-263

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 172A

Pd-功率耗散(Max) : 227W

库存: 29,897

客服询价

MPQ:50

交期:3天-5天

通用MOSFET

TO-247-3 N-Channel -55°C~150℃ ±20V 100V 240A 454W 3.1mΩ@90A,10V

封装/外壳 : TO-247-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 240A

Pd-功率耗散(Max) : 454W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3.1mΩ@90A,10V

330+:¥5.8000

库存: 29,100

MPQ:330

交期:3天-5天

别名:

WNSC2M1K0170W

自营

通用MOSFET

TO-247-3 N-Channel +22V,-10V 1700V 7A 79W -55°C~175°C

封装/外壳 : TO-247-3

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : +22V,-10V

漏源极电压Vds : 1700V

连续漏极电流Id : 7A

Pd-功率耗散(Max) : 79W

Rds On(Max)@Id,Vgs : -55°C~175°C

库存: 25,920

客服询价

MPQ:240

交期:3天-5天

20条/页

  • 20条/页
  • 50条/页
  • 100条/页
什么是通用MOSFET: 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

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