| 制造商编号 | IPD85P04P407ATMA1 |
|---|---|
| 商品别名 | IPD85P04P4-07 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | D-IPD85P04P407ATMA1 |
| 供货 | 海外代购D |
| 无铅情况/RoHs | 否 |
| 描述 |
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 85A(Tc) | |
| FET类型 | P 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 7.3 毫欧 @ 85A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6085pF @ 25V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 89nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 88W(Tc) | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
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