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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 存储器 | |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP | |
| 格式 - 存储器 | EEPROM | |
| 存储器类型 | 非易失 | |
| 存储容量 | 8Kb (1K x 8) | |
| 速度 | 400kHz | |
| 接口 | I²C,2 线串口 | |
| 电压 - 电源 | 1.6 V ~ 5.5 V |
ROHM 的高可靠性串行 EEPROM 占有较大的市场份额，并提供各种容量、总线接口（Microwire、I²C、SPI）、工作电压（1.7V 至 5.5V、1.8V 至 5.5V、2.5V 至 5.5V、3.0V 至 3.6V）以及封装类型，使其特别适用于电池供电设备。
完全符合世界标准 I²C 总线
1.6V 至 5.5V 单电源操作最适合电池应用
1.6V 至 5.5V 宽工作电压范围限制，可进行快速模式 400kHz 操作
页面写入模式对于工厂装运时的初始值写入有用
自定时编程周期
低电流消耗
防止写入错误
增加了写入（写入保护）功能
防止低电压时的写入错误
超过 1 百万次写入循环
超过 40 年数据保留
噪声滤波器内置在 SCL/SDA 端子中
ROHM 的高可靠性串行 EEPROM 占有较大的市场份额，并提供各种容量、总线接口（Microwire、I²C、SPI）、工作电压（1.7V 至 5.5V、1.8V 至 5.5V、2.5V 至 5.5V、3.0V 至 3.6V）以及封装类型，使其特别适用于电池供电设备。
完全符合世界标准 I²C 总线
1.6V 至 5.5V 单电源操作最适合电池应用
1.6V 至 5.5V 宽工作电压范围限制，可进行快速模式 400kHz 操作
页面写入模式对于工厂装运时的初始值写入有用
自定时编程周期
低电流消耗
防止写入错误
增加了写入（写入保护）功能
防止低电压时的写入错误
超过 1 百万次写入循环
超过 40 年数据保留
噪声滤波器内置在 SCL/SDA 端子中
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻，高功率，小尺寸封装
设计用于12V汽车应用，具有内置OCP、双TSD和有源钳位功能
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| BR24A16F-WME2 | 499 |
| BR24T04NUX-WTR | 491 |
| BR93L46RF-WE2 | 469 |
| BR24A02FVM-WMTR | 435 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BR24T08FVT-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-TSSOP |
￥4.2356
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50 | 当前型号 | ||||||||||
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M24C08-RDW6TP | STMicro | 数据手册 | 通用存储器 |
8-TSSOP |
暂无价格 | 24,000 | 对比 | ||||||||||
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BR24S08FVT-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-TSSOP |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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BR24L08FVT-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-TSSOP |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
|
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BR24G08FVT-3AGE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-TSSOP |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||||
|
BR24S08FV-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-TSSOP |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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