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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 电路监控 | |
FET类型 | 简单复位/加电复位 | |
受监控电压数 | 1 Ohms | |
输出 | 开路漏极或开路集电极 | |
复位 | 低有效 | |
复位超时 | 可调节/可选择 | |
电压-阈值 | 2.6V | |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) | |
封装/外壳 | 5-SSOP |
ROHM 的低电压 CMOS 重置 IC 采用 CMOS 工艺实现高精度和低电流消耗。此外,内置的延时电路允许通过外部电容器任意设置延迟时间。广泛的产品系列包括宽检测电压范围(0.9V 至 4.8V,以 0.1V 步进)内的 N 通道漏极开路和 CMOS 输出类型,能够根据客户要求选择理想的解决方案。整个系列都不含铅。
广泛的产品系列可提供不同的检测电压:0.9V 至 4.8V(增量为 0.1V)
高检测电压精度:±1%
超低电流消耗
ROHM 的低电压 CMOS 重置 IC 采用 CMOS 工艺实现高精度和低电流消耗。此外,内置的延时电路允许通过外部电容器任意设置延迟时间。广泛的产品系列包括宽检测电压范围(0.9V 至 4.8V,以 0.1V 步进)内的 N 通道漏极开路和 CMOS 输出类型,能够根据客户要求选择理想的解决方案。整个系列都不含铅。
广泛的产品系列可提供不同的检测电压:0.9V 至 4.8V(增量为 0.1V)
高检测电压精度:±1%
超低电流消耗
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价格梯度 | 单价(含税) |
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具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET,适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻,高功率,小尺寸封装
设计用于12V汽车应用,具有内置OCP、双TSD和有源钳位功能
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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HT7033S | 6,000 |
XC61FC1812MR | 565 |
SGM804-2.93YN5G/TR | 539 |
TPV6823S-TR | 524 |
SGM811-SXKA4/TR | 508 |