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小信号MOSFET   SOT-563-6

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制造商编号 EM6K33T2R
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-EM6K33T2R
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:200mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 漏源极电压Vds:50V 栅极电压Vgs:±8V
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
连续漏极电流Id 200mA
Pd-功率耗散(Max) 150mW
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.2Ω@200mA,4.5V
漏源极电压Vds 50V
栅极电压Vgs ±8V
上升时间 6ns,6ns
下降时间 55ns,55ns
典型关闭延迟时间 15ns,15ns
典型接通延迟时间 4ns,4ns
封装/外壳 SOT-563-6
系列 EM6K33
通道数量 2Channel
配置 Dual
工作温度 -55℃~150℃
FET类型 2N-Channel
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价格梯度 单价(含税)
1,310+ ¥2.1608
4,000+ ¥1.465

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EM6K33T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-563-6

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