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功率MOSFET   8-SOIC

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制造商编号 RSH070N05GZETB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RSH070N05GZETB
供货
产品周期

量产中(新设计非推荐)

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:45V 连续漏极电流Id:7A(Ta) 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta)
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 45V
连续漏极电流Id 7A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.8nC @ 5V
栅极电压Vgs 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@7A,10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 8-SOIC
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