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功率MOSFET   TSMT-8 新客领30元券,参与问卷赢华为P40

    图像仅供参考 请参阅产品规格

    制造商编号 QS8J4TR
    制 造 商 ROHM(罗姆)   授权代理
    唯样编号 A-QS8J4TR
    供货 唯样自营
    无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
    描述
    分享: 

    数据手册

    参数信息 常见问题

    参数有误?

        技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
    参数 参数值 操作
    商品目录 功率MOSFET
    连续漏极电流Id 4A
    Pd-功率耗散(Max) 1.5W
    Qg-栅极电荷 13nC,13nC
    Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ
    漏源极电压Vds 30V
    栅极电压Vgs 2.5V
    上升时间 20ns,20ns
    下降时间 50ns,50ns
    典型关闭延迟时间 80ns,80ns
    典型接通延迟时间 8ns,8ns
    封装/外壳 TSMT-8
    系列 QS8J4
    通道数量 2Channel
    配置 Dual
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    最小包装 3000  
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    起订量 1
    ¥2  
    若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

    单价:

    总价:

    购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

    数量 单价(含税) 合计
    1+ ¥10.181406 ¥10.181406
    100+ ¥5.884853 ¥588.4853
    1500+ ¥3.730997 ¥5596.4955

    整包(请按3000的倍数下单)

    3000+ ¥2.697511 ¥8092.533

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    SQJA62EP-T1_GE3 45000
    AO3422 21000
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