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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基(SBD)二极管 | |
| 封装/外壳 | TO-220FM | |
| 正向浪涌电流Ifsm | 23A | |
| 反向峰值电压Vrrm | 650V | |
| 反向电压Vr | 650V | |
| 正向电流If | 6A | |
| 正向电压Vf | 1.55V | |
| 反向漏电流Ir | 120uA | |
| 工作温度 | -55℃~175℃ | |
| 反向恢复时间trr | 0ns | |
| 结电容Cj | 219pF @ 1V,1MHz |
Silicon Carbide (SiC) 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小，可减少切换损耗，实现高速切换操作。
Silicon Carbide (SiC) 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小，可减少切换损耗，实现高速切换操作。
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具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻，高功率，小尺寸封装
设计用于12V汽车应用，具有内置OCP、双TSD和有源钳位功能
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBAT54SLT1G | 600,400 |
| LMBR140FT1G | 33,000 |
| BAS100AS_R1_00001 | 15,000 |
| SS24B | 12,000 |
| SB540-E3/54 | 11,200 |
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