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通用MOSFET   8-SOIC

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制造商编号 SH8M24GZETB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-SH8M24GZETB
供货
产品周期

量产中(新设计非推荐)

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:6A(Ta) FET类型:N+P-Channel 栅极电压Vgs:2.5V@1mA Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) 封装/外壳:8-SOIC
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商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 6A(Ta)
FET类型 N+P-Channel
RdsOn(Max)@Id,Vgs 46mOhms@4.5A,10V,63mOhms@3.5A,10V
栅极电压Vgs 2.5V@1mA
栅极电荷Qg 9.6nC,18.2nC@5V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta)
封装/外壳 8-SOIC
工作温度 150℃(TJ)
漏源极电压Vds 45V
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