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红外发射管   2-SMD,鸥翼型

图像仅供参考 请参阅产品规格
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制造商编号 VSMY2853G
制 造 商 Vishay(威世)
唯样编号 A-VSMY2853G
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
850 nm 100 mA ±28° Surface Mount High Speed Infrared Emitting Diode
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参数 参数值 操作
商品目录 红外发射管
FET类型 红外(IR)
电流-DC正向(If) 100mA
不同If时的辐射强度(Ie)(最小值) 35mW/sr @ 100mA
波长 850nm
电压-正向(Vf)(典型值) 1.65V
视角 56°
朝向 顶视图
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳 2-SMD,鸥翼型
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商品简介

作为 SurfLightTM 产品组合的一部分,VSMY2853 系列是一款红外发光二极管,尺寸为 850 nm,基于 GaAlAs 表面发射器芯片技术,具备极高辐射强度、高光学功率和高速,使用透明无污点塑料封装模制(带透镜),适用于表面安装 (SMD)。

封装类型:表面安装
封装形式:GW、RGW
尺寸(长 x 宽 x 高,单位为 mm):2.3 x 2.3 x 2.55
峰值波长:λp = 850 nm
高可靠性
高辐射电源
超高辐射强度
半强度角:ϕ = ± 28°
适用于高脉冲电流操作
接线端子配置:鸥翼或反鸥翼
与探测器 VEMD2503X01 系列匹配的封装
地板寿命:4 周、MSL 2a、符合J-STD-020
应用:
IrDA 兼容的数据传输
微型光挡板
光遮断器
光学开关
发射器源,用于接近传感器
红外线触摸面板
红外照明
3D TV

作为 SurfLightTM 产品组合的一部分,VSMY2853 系列是一款红外发光二极管,尺寸为 850 nm,基于 GaAlAs 表面发射器芯片技术,具备极高辐射强度、高光学功率和高速,使用透明无污点塑料封装模制(带透镜),适用于表面安装 (SMD)。

封装类型:表面安装
封装形式:GW、RGW
尺寸(长 x 宽 x 高,单位为 mm):2.3 x 2.3 x 2.55
峰值波长:λp = 850 nm
高可靠性
高辐射电源
超高辐射强度
半强度角:ϕ = ± 28°
适用于高脉冲电流操作
接线端子配置:鸥翼或反鸥翼
与探测器 VEMD2503X01 系列匹配的封装
地板寿命:4 周、MSL 2a、符合J-STD-020
应用:
IrDA 兼容的数据传输
微型光挡板
光遮断器
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发射器源,用于接近传感器
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