制造商编号 | SUP85N03-3M6P-GE3 |
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制 造 商 | Vishay(威世) |
唯样编号 | A-SUP85N03-3M6P-GE3 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
连续漏极电流Id:85A Pd-功率耗散(Max):78.1W Rds On(Max)@Id,Vgs:3mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
连续漏极电流Id | 85A | |
Pd-功率耗散(Max) | 78.1W | |
Qg-栅极电荷 | 100nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3mΩ | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | 1V | |
上升时间 | 10ns | |
下降时间 | 10ns | |
典型关闭延迟时间 | 35ns | |
典型接通延迟时间 | 11ns | |
宽度 | 4.7mm | |
封装/外壳 | TO-220-3 | |
正向跨导 - 最小值 | 110S | |
系列 | SUP | |
通道数量 | 1Channel | |
配置 | Single | |
长度 | 10.41mm | |
高度 | 15.49mm | |
工作温度 | -55°C~150°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
低正向压降,低漏电流,高正向浪涌能力
专门设计用于中等功率转换和相位控制应用
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LMP22D5N3T5G | 200,000 |
PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
IPB200N25N3 G | 33,000 |
PMPB215ENEAX | 18,000 |
PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |