| 制造商编号 | VSMY2853SL |
|---|---|
| 制 造 商 | Vishay(威世) |
| 唯样编号 | A-VSMY2853SL |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
850 nm 100 mA ±28° Right Angle Surface Mount High Speed Infrared Emitting Diode
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 红外发射管 | |
| 系列 | SurfLight™ | |
| FET类型 | 红外(IR) | |
| 电流-DC正向（If） | 100mA | |
| 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值） | 35mW/sr @ 100mA | |
| 波长 | 850nm | |
| 电压-正向（Vf）（典型值） | 1.65V | |
| 视角 | 56° | |
| 朝向 | 侧视图 | |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | |
| 安装类型 | 表面贴装,直角 | |
| 封装/外壳 | 2-SMD,鸥翼型 |
作为 SurfLightTM 产品组合的一部分，VSMY2853SL 是一款红外侧视发光二极管，尺寸为 850 nm，基于 GaAlAs 表面发射器芯片技术，具备极高辐射强度、高光学功率和高速，使用透明无污点塑料封装模制（带透镜），适用于表面安装 (SMD)。
封装类型：表面安装
封装形式：侧视
尺寸（长 x 宽 x 高，单位为 mm）：2.3 x 2.55 x 2.3
峰值波长：p = 850 nm
高可靠性
高辐射电源
超高辐射强度
半强度角： = ± 28°
适用于高脉冲电流操作
与探测器 VEMD2xx3SLX01 匹配的封装
VEMT2xx3SLX01 系列
地板寿命：4 周、MSL 2a、符合J-STD-020
应用：
IrDA 兼容的数据传输
微型光挡板
光遮断器
光学开关
发射器源，用于接近传感器
红外线触摸面板
红外照明
3D TV
作为 SurfLightTM 产品组合的一部分，VSMY2853SL 是一款红外侧视发光二极管，尺寸为 850 nm，基于 GaAlAs 表面发射器芯片技术，具备极高辐射强度、高光学功率和高速，使用透明无污点塑料封装模制（带透镜），适用于表面安装 (SMD)。
封装类型：表面安装
封装形式：侧视
尺寸（长 x 宽 x 高，单位为 mm）：2.3 x 2.55 x 2.3
峰值波长：p = 850 nm
高可靠性
高辐射电源
超高辐射强度
半强度角： = ± 28°
适用于高脉冲电流操作
与探测器 VEMD2xx3SLX01 匹配的封装
VEMT2xx3SLX01 系列
地板寿命：4 周、MSL 2a、符合J-STD-020
应用：
IrDA 兼容的数据传输
微型光挡板
光遮断器
光学开关
发射器源，用于接近传感器
红外线触摸面板
红外照明
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
低正向压降，低漏电流，高正向浪涌能力
专门设计用于中等功率转换和相位控制应用
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
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