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通用MOSFET   TO-220

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制造商编号 IRFB61N15D
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFB61N15D
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Rds On(Max)@Id,Vgs:32mΩ 漏源极电压Vds:150V 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:30V
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商品目录 通用MOSFET
Moisture Level NA
Rds On(Max)@Id,Vgs 32mΩ
漏源极电压Vds 150V
封装/外壳 TO-220
Tj max 175.0°C
QG 95.0nC
Budgetary Price €€/1k 1.53
Ptot max 330.0W
FET类型 N-Channel
Qgd 45.0nC
栅极电压Vgs 30V
Mounting THT
RthJC max 0.45K/W
连续漏极电流Id 60A
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