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功率MOSFET   TO-263-3 10.67mm

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制造商编号 SQM120P10_10M1LGE3
制 造 商 Vishay(威世)
唯样编号 A-SQM120P10_10M1LGE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:120A Pd-功率耗散(Max):375W Rds On(Max)@Id,Vgs:8.1mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2.5V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 120A
Pd-功率耗散(Max) 375W
Qg-栅极电荷 190nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.1mΩ
漏源极电压Vds 100V
栅极电压Vgs 2.5V
上升时间 100ns
下降时间 200ns
典型关闭延迟时间 120ns
典型接通延迟时间 20ns
宽度 9.65mm
封装/外壳 TO-263-3
正向跨导 - 最小值 60S
系列 SQ
通道数量 1Channel
配置 Single
长度 10.67mm
高度 4.83mm
工作温度 -55°C~175°C
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