制造商编号 | IKW50N65ES5 |
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商品别名 | IKW50N65ES5XKSA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A3-IKW50N65ES5 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 功率:274W
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | IGBT | |
IGBT 类型 | 沟道 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V | |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 80A | |
脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 200A | |
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V,50A | |
开关能量 | 1.23mJ(开),550µJ(关) | |
输入类型 | 标准 | |
25°C 时 Td(开/关)值 | 20ns/127ns | |
测试条件 | 400V,50A,8.2 欧姆,15V | |
反向恢复时间(trr) | 70ns | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
封装/外壳 | PG-TO247-3 | |
配置 | Single | |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 650V | |
集电极—射极饱和电压 | 1.35V | |
栅极/发射极最大电压 | ±20V | |
在25 C的连续集电极电流 | 80A | |
功率 | 274W | |
系列 | TRENCHSTOP5S5 | |
高度 | 20.7mm | |
长度 | 15.87mm | |
宽度 | 5.31mm | |
栅极—射极漏泄电流 | 100nA |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:240
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交期: 3天-15天 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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FF450R12KT4 | 372 |