| 制造商编号 | BUK9M85-60EX |
|---|---|
| 商品别名 | BUK9M85-60E |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-BUK9M85-60EX |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 73mΩ@5A,10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 31W | |
| 工作温度 | -55°C~175°C | |
| 栅极电压Vgs | ±10V | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 输入电容 | 326pF | |
| 输出电容 | 46pF | |
| 连续漏极电流Id | 12.8A | |
| 封装/外壳 | LFPAK33 |
N 沟道 60 V，85 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK33 封装，逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK33 (Power33) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准，可用于高性能汽车应用。
符合 Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
N 沟道 60 V，85 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK33 封装，逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK33 (Power33) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准，可用于高性能汽车应用。
符合 Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：380 | 倍数：1 |
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
具有较高的集电极电流能力IC和ICM，非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
调精密并联稳压器，其输出电压范围在 Vref= 2.495 V 和 36V 之间
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
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