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功率MOSFET   SOT-23-3 新客领30元券,参与问卷赢华为P40

图像仅供参考 请参阅产品规格

制造商编号 SQ2310ES-T1_GE3
制 造 商 Vishay(威世)
唯样编号 A1-SQ2310ES-T1_GE3
供货 唯样自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
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参数信息 商品简介 常见问题

参数有误?

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 SQ
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 485pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-3
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 6A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 485pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@5A,4.5V
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N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术
• 创新型节省空间封装选项

认可

AEC-Q101

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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起订量 3000
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若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

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数量 单价(含税) 合计

整包(请按3000的倍数下单)

3000+ ¥0.91981 ¥2759.43

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