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小信号MOSFET   DFN1616-6W

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制造商编号 RV4C020ZPHZGTCR1
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RV4C020ZPHZGTCR1
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 2A(Ta)
FET类型 P-Channel
Vgs(最大值) ±8V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 260mOhm @ 2A, 4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 1mA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 80 pF @ 10 V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2 nC @ 4.5 V
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.5V,4.5V
封装/外壳 DFN1616-6W
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