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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 2A(Ta) | |
FET类型 | P-Channel | |
Vgs(最大值) | ±8V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 260mOhm @ 2A, 4.5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 1mA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 80 pF @ 10 V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2 nC @ 4.5 V | |
功率耗散(最大值) | 1.5W(Ta) | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 20 V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.5V,4.5V | |
封装/外壳 | DFN1616-6W |
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具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET,适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻,高功率,小尺寸封装
设计用于12V汽车应用,具有内置OCP、双TSD和有源钳位功能
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 150,000 |
BSS123_R1_00001 | 9,000 |
NX7002AKW,115 | 9,000 |
PMZ350UPEYL | 8,000 |
LBSS84LT1G | 3,000 |