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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MLCC | |
| 电压 | 200VDC | |
| 温度系数(材质) | C0G(NP0) | |
| 封装/外壳 | 0805 采用英制标准 | |
| 容值 | 100pF | |
| 偏差 | ±5% | |
| 电压 | 200V |
陶瓷电容器具有低的寄生效应和极佳的 EMI 滤波功能。它们可多层配置，在宽温度范围内显示高电容值和各种额定电压。提供多种类型，如 MLCC 片式电容器、引线型电容器、堆叠型电容器以及采用独特几何形状的电容器。
C0G (NP0) 配方显示无老化特性
C0G (NP0) 是最受欢迎的温度补偿配方，EIA I 类陶瓷材料。现代 C0G (NP0) 配方中含有钕、钐和其他稀土氧化物。C0G (NP0) 陶瓷提供最稳定的电容器电介质之一。电容随温度的变化关系为 0±30ppm/℃，从 -55℃ 至 +125℃ 小于 ±0.3％ C。与高达 ±2% 的薄膜电容器相比，C0G (NP0) 陶瓷的电容偏移或滞后少于 ±0.05%，可忽略不计。C0G (NP0) 的典型电容随时间的变化小于 ±0.1％，是大多数其他电介质的五分之一。
陶瓷电容器具有低的寄生效应和极佳的 EMI 滤波功能。它们可多层配置，在宽温度范围内显示高电容值和各种额定电压。提供多种类型，如 MLCC 片式电容器、引线型电容器、堆叠型电容器以及采用独特几何形状的电容器。
C0G (NP0) 配方显示无老化特性
C0G (NP0) 是最受欢迎的温度补偿配方，EIA I 类陶瓷材料。现代 C0G (NP0) 配方中含有钕、钐和其他稀土氧化物。C0G (NP0) 陶瓷提供最稳定的电容器电介质之一。电容随温度的变化关系为 0±30ppm/℃，从 -55℃ 至 +125℃ 小于 ±0.3％ C。与高达 ±2% 的薄膜电容器相比，C0G (NP0) 陶瓷的电容偏移或滞后少于 ±0.05%，可忽略不计。C0G (NP0) 的典型电容随时间的变化小于 ±0.1％，是大多数其他电介质的五分之一。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CC0402KRX5R8BB104 | 2,980,000 |
| CC0603KRX7R7BB104 | 2,108,000 |
| CC0603KRX7R9BB104 | 2,069,060 |
| CL05C101JB5NNNC | 1,590,400 |
| CC0201KRX7R7BB103 | 1,528,300 |
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