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BD33FC0FP-E2  与  DMN3009SK3-13  区别

型号 BD33FC0FP-E2 DMN3009SK3-13
唯样编号 A-BD33FC0FP-E2 A3-DMN3009SK3-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用芯片 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
输出配置 -
电流 - 输出 1A -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ@30A,10V
上升时间 - 4.1ns
Qg-栅极电荷 - 42nC
压降(最大值) 0.5V @ 500mA -
电流 - 电源(最大值) 2.5mA -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -25°C~85°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 15V
电压 - 输入(最大值) 26.5V -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 44W
典型关闭延迟时间 - 31ns
保护功能 过流,超温 -
输出类型 固定 -
控制特性 使能 -
电压 - 输出(最小值/固定) 3.3V -
典型接通延迟时间 - 3.9ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 42nC @ 10V
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥11.7284
100+ :  ¥6.779
1,000+ :  ¥4.2979
2,000+ :  ¥3.1074
1+ :  ¥3.4702
100+ :  ¥2.1032
1,000+ :  ¥1.5579
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