首页 > 资讯 > > 英飞凌新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

英飞凌新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有6人订阅
+订阅 已订阅
新品:2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

upfile


CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiC™ 技术的输出电流能力强,可靠性提高。


产品型号:


· IMYH200R012M1H

· IMYH200R024M1H

· IMYH200R050M1H

· IMYH200R075M1H

· IMYH200R0100M1H


产品特点:


· VDSS=2000V,可用于最高母线电压为1500VDC系统

· 开关损耗极低

· 创新的HCC封装

· 针脚间爬电距离为14毫米

· 5.4毫米电气间隙

· 栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V

· 用于硬换流的坚固体二极管

· .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

· 高耐湿性


应用价值:


· 市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件,阻断电压高达2000V

· 1500V的DC的变流器可以用两电平实现

· 与1700V SiC MOSFET相比,1500 VDC系统具有足够的过压裕量

· 创新的TO-247封装,具有高爬电距离和间隙


应用领域:


· 光伏逆变器

· 储能系统

· 电动汽车充电


扫描二维码,关注英飞凌工业半导体寻找更多应用或产品信息:


upfile


点赞 (0)

收藏 (0)

最新文章

查看更多

热门标签

热门文章

唯样公众号二维码

扫描二维码,获取更多的唯样商城产品、技术资讯。
公众号:oneyac

上一篇:

高性能稳定运行服务器:宽电压有源晶振 YXC扬兴科技YSO110TR 25MHZ,多种精度选择:支持±10PPM、±20PPM、±30PPM

下一篇:

松下 | 导电性聚合物混合铝电解电容器表面贴装型ZL系列

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售