| 制造商编号 | 2N3053A |
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| 制 造 商 | Central(中央半导体) |
| 唯样编号 | D-2N3053A |
| 供货 | 海外代购D |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
2N Series 60 V 700 mA NPN Through Hole Silicon Transistor - TO-39 翻译
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暂无数据
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 通用三极管 | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | 700mA | |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V | |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 15mA,150mA | |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 50 @ 150mA,10V | |
| 功率 | 5W | |
| 频率-跃迁 | 100MHz | |
| 工作温度 | -65°C~200°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-39 |
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4 Pin 长爬电距离 SOP 封装光晶体管光耦
128M-bit（16MB）SPI NOR Flash，器件支持标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI
2.0mm间距的防水型线对线连接器
面向汽车电子应用，专为额定电压1,000V及以上的高压回路设计
专为高温、高湿及高可靠性场景设计,最高工作温度125℃
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