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参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 8A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.34nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 功率 | 800mW(Ta),25W(Tc) | |
| 导通电阻Rds(On) | 180 毫欧 @ 5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 18-ULCC(9.14x7.49) |
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256 Kb串行CMOS EEPROM,高可靠性、宽电压、高速I2C
面向电源线应用的高性能紧凑型EMC元件
采用先进工艺与精细化器件结构设计,系列覆盖12V至200V全电压等级
阻值范围涵盖0.01Ω~10MΩ,兼具小型化、轻量化和高可靠性
2.0mm间距线对板连接器,兼具高可靠性与优异操作性的可断开式连接器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| QX357C-CuH-SE | 18,000 |
| 4D03WGJ0471T5E | 15,000 |
| ORPC-817SB-TP-C-G-S-(GK) | 8,000 |
| BC807-16-AU_R1_005A1 | 6,000 |
| NCEP023NH30GU | 5,000 |