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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 3.5A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.1nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 功率 | 800mW(Ta),15W(Tc) | |
| 导通电阻Rds(On) | 600 毫欧 @ 2.25A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-39 | |
| 封装/外壳 | TO-205AF 金属罐 |
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4 Pin 长爬电距离 SOP 封装光晶体管光耦
128M-bit（16MB）SPI NOR Flash，器件支持标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI
2.0mm间距的防水型线对线连接器
面向汽车电子应用，专为额定电压1,000V及以上的高压回路设计
专为高温、高湿及高可靠性场景设计,最高工作温度125℃
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AW25000003 | 27,000 |
| PESD5V5C1BBSF-QYL | 9,000 |
| HEF4894BT/S400,118 | 4,000 |
| AMCW3225P-2-242T | 2,647 |
| HF3F-L/5-1HL1T | 1,142 |
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