制造商编号 | R5F563NACDFP#V0 |
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制 造 商 | Renesas(瑞萨) |
唯样编号 | D-R5F563NACDFP#V0 |
供货 | 海外代购D |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
RX63N Series 32 Bit 128 KB RAM 768 KB Flash Microcontroller - LQFP-100
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 集成电路(芯片) | |
系列 | RX600 | |
I/O数 | 78 | |
EEPROM容量 | 32K x 8 | |
RAM容量 | 128K x 8 | |
电压-电源(Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 3.6 V | |
封装/外壳 | 100-LQFP(14x14) | |
核心处理器 | RX | |
核心尺寸 | 32-位 | |
速度 | 100MHz | |
连接性 | CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SCI,SPI,USB | |
外设 | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | |
I/O 数 | 78 | |
程序存储容量 | 768KB(768K x 8) | |
程序存储器类型 | 闪存 | |
EEPROM 容量 | 32K x 8 | |
RAM 容量 | 128K x 8 | |
电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 3.6 V | |
数据转换器 | A/D 8x10b,14x12b,D/A 1x10b | |
振荡器类型 | 内部 | |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | |
封装/外壳 | 100-LQFP |
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提供更安全、更可靠、更灵活的住宅 BESS 电源和信号堆叠连接连接
新能源应用中的控制而设计,可在1000VDC下实现高切换能力
低ESR和高Q特性、稳定性和可靠性,符合AEC-Q200标准
高精度电阻器,具备极低的温度系数(TCR)和精度可达±0.1%的性能,满足严格的应用标准
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LM317LDG | 520 |
FSTD16211MTDX | 518 |