| 制造商编号 | 2SA1020-Y(T6FJT,AF |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 唯样编号 | D-2SA1020-Y(T6FJT,AF |
| 供货 | 海外代购D |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
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暂无数据
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 2A | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA,1A | |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA(ICBO) | |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 70 @ 500mA,2V | |
| 功率 | 9/10W | |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 长体 | |
| 封装/外壳 | TO-92MOD |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SSL310A | 5,000 |
| MMBT5551Q | 4,800 |
| BZT52B36 | 2,010 |
| TEA2025L-D16-T | 2,000 |
| MDF7-5S-2.54DSA(56) | 800 |
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