制造商编号 | IRF7490 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRF7490 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Rds On(Max)@Id,Vgs:39mΩ 漏源极电压Vds:100V 封装/外壳:SO-8 FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:20V
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:95
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交期: 请咨询客服 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PMLL4148L,115 | 34,000 |
CQA34P15 | 12,000 |
PJT138K_R1_00001 | 12,000 |
SLF20N65S | 9,000 |
CQA34N00 | 9,000 |