制造商编号 | IRFP3415 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRFP3415 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Rds On(Max)@Id,Vgs:42mΩ 漏源极电压Vds:150V 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:20V
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:400
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PMLL4148L,115 | 45,000 |
LP2305DSLT1G | 39,000 |
BSC0702LS | 30,000 |
CQA34P15 | 12,000 |
2N7002HR | 9,570 |