制造商编号 | SPD18P06P G |
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商品别名 | SPD18P06PGBTMA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-SPD18P06P G |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:130mΩ 栅极电压Vgs:10V Pd-功率耗散(Max):80W
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 60V | |
连续漏极电流Id | 18.6A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 130mΩ | |
栅极电压Vgs | 10V | |
Qg-栅极电荷 | 22nC | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 80W | |
高度 | 2.3mm | |
长度 | 6.5mm | |
系列 | SPD18P06 | |
FET类型 | P-Channel | |
宽度 | 6.22mm | |
正向跨导 - 最小值 | 4S | |
下降时间 | 11ns | |
上升时间 | 5.8ns | |
典型关闭延迟时间 | 24.5ns | |
典型接通延迟时间 | 12ns | |
工作温度 | -55°C~175°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
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交期: 请咨询客服 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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IPB200N25N3 G | 33,000 |
SVS70R900DE3TR | 17,500 |
GP3134K | 8,000 |
IPB107N20N3 G | 7,000 |
WST4045 | 3,650 |