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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
系列 | FDS | |
高度 | 1.75 mm | |
长度 | 4.9 mm | |
宽度 | 3.9 mm | |
零件号别名 | FDS6982AS_NL | |
配置 | Dual Dual Drain | |
下降时间 | 3 ns | |
典型接通延迟时间 | 10 ns | |
上升时间 | 7 ns | |
栅极电压Vgs | 20V | |
通道数量 | 2 Channel | |
典型关闭延迟时间 | 24 ns | |
正向跨导-最小值 | 32 S, 19 S | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 28mΩ@6.3A,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 610pF @ 10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 900mW | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SOIC | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 6.3A,8.6A | |
连续漏极电流Id | 6.3 A,8.6 A | |
漏源极电压Vds | 30 V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 14 m0hms,28 m0hms | |
最小栅阈值电压 | 1V | |
栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
晶体管配置 | 隔离式 | |
引脚数目 | 8 | |
FET类型 | 增强 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
功率 | 2W | |
典型接通延迟时间 | 12 ns | |
典型关断延迟时间 | 24 ns, 27 ns | |
漏源极电压Vds | 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V | |
晶体管材料 | Si | |
系列 | PowerTrench, SyncFET | |
宽度 | 3.99mm | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最高工作温度 | +150 °C | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.50mm | |
封装/外壳 | 5.0*3.99*1.5mm | |
每片芯片元件数目 | 2 |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 120,000 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
L2N7002DW1T1G | 30,200 |
NX138AKR | 30,000 |
PMV20ENR | 12,000 |