| 制造商编号 | IRL540NSTRLPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | B-IRL540NSTRLPBF-2 |
| 供货 | 富昌电子 |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±16V Pd-功率耗散(Max)：3.8W(Ta),140W(Tc) 工作温度：-55°C~175°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs：44mΩ@18A,10V FET类型：N-Channel
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 74nC @ 5V | |
| 栅极电压Vgs | ±16V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.8W(Ta),140W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 74nC @ 5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 25V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 44mΩ@18A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 36A | |
| 封装/外壳 | D2PAK |
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRL540NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
￥6.975
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1,600 | 当前型号 | ||||||||||||
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STB30NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||||
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BUK9640-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK9640-100A_SOT404 |
￥8.3584
|
0 | 对比 | ||||||||||||
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|
STB30NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF540NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BUK7635-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7635-100A_SOT404 |
￥14.8076
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0 | 对比 |
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