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AO4419  与  IRF9392PBF  区别

型号 AO4419 IRF9392PBF
唯样编号 A-AO4419 A-IRF9392PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 125 -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 35mΩ -
Qgd(nC) 4.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1270pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 10 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id -9.7A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1040 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12.1 毫欧 @ 7.8A,20V
Vgs(最大值) - ±25V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V,20V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 11.5 -
Td(off)(ns) 26 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Qrr(nC) 25 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.8A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 180 -
Qg*(nC) 9.6 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
480+ :  ¥2.5734
1,000+ :  ¥2.025
1,500+ :  ¥1.5836
3,000+ :  ¥1.2352
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