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AO4822A  与  IRL6372TRPBF  区别

型号 AO4822A IRL6372TRPBF
唯样编号 A-AO4822A A-IRL6372TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@8A,10V 17.9mΩ@8.1A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 8A 8.1A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
490+ :  ¥3.2745
1,000+ :  ¥2.5767
1,500+ :  ¥2.0151
3,000+ :  ¥1.5718
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