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AOTF10N65  与  IPA65R1K0CEXKSA1  区别

型号 AOTF10N65 IPA65R1K0CEXKSA1
唯样编号 A-AOTF10N65 A-IPA65R1K0CEXKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 10 -
功率耗散(最大值) - 68W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1000mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 11.3 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 328pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 30 -
封装/外壳 TO-220F TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 10A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.3nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1369 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1 欧姆 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 320 -
Td(off)(ns) 74 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 6000 -
VGS(th) 5 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200uA
FET功能 - 超级结
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7.2A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 650V
Coss(pF) 118 -
Qg*(nC) 27.7* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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